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VEC2315
300
RDS(on) -- VGS
300
RDS(on) -- Ta
Ta=25 ° C
250
--0.75A
ID= --1.5A
250
--0.
I D=
0V, 75A
I D=
S=
4.5V
= --1
VGS --10.0V
VGS
200
150
100
50
200
150
100
50
= -- , ID
=
75A
--4. --0.
VG , .5A
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
| y fs | -- ID
IT15913
V DS=  --10V
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15914
VGS=0V
10
7
5
3
2
--1.0
5 ° C
° C
3
2
1.0
7
Ta
=
--2
7 5 ° C
25
7
5
3
2
--0.1
5
3
2
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
--0.01
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
100
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
tf
IT15915
VDD= --30V
VGS= --10V
2
1000
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT15916
f=1MHz
3
2
3
2
10
7
5
3
td(on)
tr
100
7
5
3
Coss
Crss
2
--0.1
2
3
5
7
--1.0
2
3
5
7
2
0
--5
--10 --15 --20 --25 --30 --35 --40 --45 --50 --55 --60
--10
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT15917
2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ASO
IT15918
0m
0 μ
--9
--8
--7
--6
--5
VDS= --30V
ID= --2.5A
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
IDP= --10A (PW ≤ 10 μ s)
ID= --2.5A
10
10
s
m
s
10
s
3
--4
--3
--2
--1
2
--0.1
7
5
3
2
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm) 1unit
--0.01 2 3 5 7 --0.1
5 7 --1.0 2 3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
--0.01
2 3
5 7 --10
2 3
5 7 --100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT15919
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15920
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